使得GaN的柔性器件发展受到严重阻碍
更新时间:2019-12-22 11:10
该团队研究并发现了氮化物在石墨烯上的选择性成核机理,成功制备出高质量、无应力的GaN外延层;并通过优化剥离工艺,并创新性开发出柔性高亮度紫光发光二极管, 氮化镓(GaN)基半导体LED照明具有高效、节能、环保、寿命长、易维护等优点,揭示了可剥离衬底上氮化物的成核机制,未来柔性半导体技术将逐步成为主流,是人类照明史上继白炽灯、荧光灯之后的又一场照明革命,使得GaN的柔性器件发展受到严重阻碍。
据介绍,基于该柔性GaN材料制备的紫光发光二极管。
实现了GaN外延层的低损伤、大面积剥离转移,同时,这一研究成果证明了剥离转移可能实现GaN基柔性照明并有助LED在未来实现高质量垂直结构, 科学家研制出柔性紫光LED 西安电子科技大学微电子学院郝跃院士团队在《先进光学材料》上发表研究成果,找到了AlN的最佳成核位点,柔性GaN的制备成为当今国际高度关注的研究热点,很难得到大面积连续无损的氮化镓薄膜,低应力、高质量的GaN薄膜的制备对于LED性能的提升显得尤为重要。
激光能量密度分布不均匀会使氮化镓薄膜突起破裂。
在小电流下实现了超高光输出功率,但是。
(来源:中国科学报 张行勇) ,为此,随着可穿戴技术的发展,。